מהנדס.ת חומרים
קטגוריה:
טכנולוגיה והנדסה
היקף משרה:
משרה מלאה
מספר משרה:
64106
תפקידך יכלול:
מהנדס.ת MBE( מבני על מבוססי גליום ארסניד – Heterostructures GaAs )במרכז התת מיקרון.
גידול חומרים ופיתוח:
- ביצוע גידול אפיטקסיאלי של מבני על וננו-מבנים מבוססי GaAs באמצעות מערכות MBE הקיימות במרכז התת מיקרון.
- פיתוח ואופטימיזציה של מתכוני גידול מתקדמים עבור מבני על חדשים.
- קביעת וייעול פרוטוקולים של כיול, ניטור ואפיון – להבטחת שחזוריות ואיכות גידול גבוהה.
- שיתופי פעולה ותמיכה: - מתן שירותי גידול MBE ותמיכה טכנית לחוקרים, תלמידי מחקר ופוסט-דוקטורנטים במרכז התת מיקרון.
- שיתוף פעולה עם שותפים ומוסדות חיצוניים לפיתוח פלטפורמות חומרים חדשניות למחקר התקנים מתקדמים.
- תפעול ותחזוקה של המערכות: תחזוקת מערכות ה-MBE, תשתיות הוואקום וחומרי המקור, להבטחת פעולה אמינה ושוטפת של המערכת.
- הקפדה על נהלי בטיחות במעבדה ועמידה בתקנות חדר הנקי והמתקן
כישורים ויכולות:
- תואר שלישי (PhD )בפיזיקה, מדע החומרים, הנדסת חשמל או תחום רלוונטי אחר - יתרון.
- ניסיון מעשי בגידול בשיטת אפיטקסיה בקרן מולקולרית )MBE), במיוחד של מוליכים למחצה מסוג V–III( כגון AlGaAs ,InAs ,GaAs)- יתרון.
- רקע חזק בשיטות אפיון של סרטים דקים, כגון AFM ,XRD ,RHEED ומדידות הול.
- יכולת מוכחת לעבודה שיתופית בסביבה מחקרית רב-תחומית.
- כישורי תקשורת ובין-אישיים מצוינים.